日本京都2026年1月21日 /美通社/ -- Nuvoton Technology Corporation Japan（以下简称"NTCJ"）于1月20日宣布，开始量产其高功率紫外半导体激光器(379 nm, 1.0 W)。该产品采用直径9.0毫米的CAN封装(TO-9)，可实现行业领先(*)的光功率输出。通过NTCJ专有的器件结构和先进的高散热封装技术，该产品实现了短波长、高功率和长寿命这三个紫外半导体激光器过去难以突破的特性，有助于提升先进半导体封装无掩模光刻的图形化精密度和生产效率。

（*）截至2026年1月16日，基于NTCJ对波长为379 nm、TO-9 CAN封装、在25°C壳温(Tc)下连续波(CW)运行的半导体激光器的研究。

主视觉图：https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M108245/202601072090/_prw_PI1fl_x5FsfwAW.jpg

图片：https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M108245/202601072090/_prw_PI2fl_038KkhpF.jpg

随着人工智能(AI)的发展推动信息处理能力需求增长，对半导体性能的要求较以往也在不断提高。另一方面，随着晶体管微缩化发展接近其物理和经济极限，半导体后端封装技术和先进半导体封装技术（通过并排排列或垂直堆叠多个半导体芯片的集成方案）正引起关注。

这些封装技术的演进，离不开无掩膜曝光技术的支持。作为无掩模光刻技术中的关键光源之一，半导体激光器面临着向更短波长（接近i线365 nm）和更高输出功率发展的不断增长的需求，以实现更精细的线路和提高设备产能。为满足这些要求，NTCJ凭借40多年的激光设计和制造经验，开发并商业化了波长为379 nm、输出功率达1.0 W的紫外半导体激光器。

紫外半导体激光器通常存在由于低光电转换效率(WPE)引起的显著热量产生问题，以及由紫外光引起的器件退化倾向，这使得在1.0 W以上的高输出水平下实现稳定运行变得困难。为解决这一问题，NTCJ采取了双管齐下的方法，同时专注于"提高WPE的器件结构"和"有效散热的高热传导封装技术"，成功开发出一款兼具短波长、高功率和长寿命的产品：1.0 W紫外(379 nm)激光二极管器。这有助于延长紫外光光学器件的寿命。

该产品作为NTCJ的"基于半导体激光的汞灯替代产品"系列的新成员，为客户提供了新的选择。

NTCJ将在美国旧金山举行的SPIE Photonics West 2026展会以及日本横滨举办的OPIE'26展会的展台上展示这款新产品的详细信息。NTCJ诚挚期待您的莅临。

产品详情，请访问：https://nuvoton.co.jp/semi-spt/apl/rd/?id=1100-0172

关于Nuvoton Technology Corporation Japan：https://www.nuvoton.co.jp/en/

SPIE Photonics West 2026新唐展位网页：https://spie.org/ExhibitorDetail?ExpoID=5022&ExhibitorID=105454

OPIE（国际光学与光电技术展览会）：https://www.opie.jp/en/